一般演題

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シスプラチン耐性細胞でのHMG1遺伝子過剰発現の分子機序：永谷群司¹、伊勢知子¹、今村寿宏¹ 、加藤健¹、野本実¹、高野裕士¹、河野公俊¹（産業医大・医・分子生物）

Molecular mechanism of the overexpression of HMG1 gene in cisplatin resistant cells:(Gunji NAGATANI¹,Tomoko ISE¹, Toshihiro IMAMURA¹, Ken KATO¹, Minoru NOMOTO¹, Hiroshi TAKANO¹, Kimitoshi KOHNO1 (¹Dept. of Mol. Biol., Univ of Occup. & Environ. Health.)

[目的]シスプラチン耐性細胞で高頻度に過剰発現してくるHMGドメイン蛋白群はシスプラチン修飾DNAを認識し、DNA修復に関与することが知られている。そこでHMG蛋白のなかでHMG1に注目し、耐性細胞でのその過剰発現及びシスプラチンによる癌細胞のストレス応答の分子機序を明らかにする。
[方法](1)HMG1プロモーター領域のクローニングを行い塩基配列及び転写因子の決定を行いdeletionを作成し、シスプラチン耐性細胞に導入、その活性をルシフェラーゼ・アッセイにて検討する。(2)細胞内での転写因子の結合様式をin vivo Footprintで比較した。
[結果]HMG1のプロモーター構造はTATA boxはなくGC richでCpGアイランドクラスプロモーターである。転写開始点近傍の推測される転写因子の結合部位として3つのCCAAT配列があった。プロモーター活性は耐性細胞で高く、そのシスエレメントとして転写開始点より上流約40bpが関与することが判明した。in vivo においては、プロモーター領域に含まれている3つのCCAAT領域及びその周辺に一致して親株と耐性細胞間でDMS感受性に差異を認めた。